Para visitantes da Electronica 2024

Reserve seu tempo agora!

Só é preciso alguns cliques para reservar seu lugar e obter o bilhete do estande

Hall C5 Booth 220

Registro antecipado

Para visitantes da Electronica 2024
Você está se inscrevendo! Obrigado por marcar uma consulta!
Enviaremos os tickets de estande por e -mail assim que verificarmos sua reserva.
Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > SQV120N10-3M8_GE3
RFQs/Ordem (0)
Português
Português
3598701

SQV120N10-3M8_GE3

Inquérito On-line

Preencha todos os campos necessários com suas informações de contato.Click "Envie RFQ", entraremos em contato com você em breve por e -mail.Ou envie um email:info@ftcelectronics.com

Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
500+
$1.947
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    SQV120N10-3M8_GE3
  • Fabricante / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3
  • Status sem chumbo / Status RoHS
  • Fichas de dados
    SQV120N10-3M8_GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    TO-262-3
  • Série
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    3.8 mOhm @ 20A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    250W (Tc)
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Through Hole
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    7230pF @ 25V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    190nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    100V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 100V 120A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-262-3
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    120A (Tc)

Anthropic recebe outro investimento de US $ 4 bilhões da A...

23/11/2024

Semi: as vendas de IC aumentam 12% no terceiro trimestr...

22/11/2024

É relatado que a Kioxia receberá aprovação de listagem ...

21/11/2024

A mais recente plataforma óptica de silício do semicondut...

20/11/2024

A indústria se recupera lentamente.O fornecedor epitaxial ...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Fornecedor: um grande número de componentes da GPU da sér...

18/11/2024

Taiwan, o valor de saída do semicondutor da China aumentar...

17/11/2024

Expandindo a produção de painéis OLED, a LG Display inve...

15/11/2024

A Amazon aumenta os esforços para criar chips de IA person...

14/11/2024

O lucro líquido do terceiro trimestre de Pegatron foi de N...

13/11/2024
Envio
Pagamento
O seguinte é "SQV120N10-3M8_GE3" produtos relacionados.
AOB4184

AOB4184

Descrição: MOSFET N-CH 40V 12A TO263

Fabricantes: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Disponível
RFQ
SPB80N03S2L-06

SPB80N03S2L-06

Descrição: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPC90R120C3X1SA1

IPC90R120C3X1SA1

Descrição: MOSFET N-CH BARE DIE

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPI200N25N3GAKSA1

IPI200N25N3GAKSA1

Descrição: MOSFET N-CH 250V 64A TO262-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IRFB4212PBF

IRFB4212PBF

Descrição: MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
FQA62N25C

FQA62N25C

Descrição: MOSFET N-CH 250V 62A TO-3P

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Disponível
RFQ
T-FD28N50Q-72

T-FD28N50Q-72

Descrição: MOSFET N-CHANNEL

Fabricantes: IXYS Corporation
Disponível
RFQ
IRF730AL

IRF730AL

Descrição: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-262

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SI7848DP-T1-E3

SI7848DP-T1-E3

Descrição: MOSFET N-CH 40V 10.4A PPAK SO-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SQV120N06-4M7L_GE3

SQV120N06-4M7L_GE3

Descrição: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SI4890BDY-T1-E3

SI4890BDY-T1-E3

Descrição: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
DMN7022LFGQ-13

DMN7022LFGQ-13

Descrição: MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333

Fabricantes: Diodes Incorporated
Disponível
RFQ
BUK9107-40ATC,118

BUK9107-40ATC,118

Descrição: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

Fabricantes: Nexperia
Disponível
RFQ
NTMFS10N7D2C

NTMFS10N7D2C

Descrição: MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Disponível
RFQ
SIR158DP-T1-GE3

SIR158DP-T1-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
PMR370XN,115

PMR370XN,115

Descrição: MOSFET N-CH 30V 0.84A SOT416

Fabricantes: NXP Semiconductors / Freescale
Disponível
RFQ
IRF7706

IRF7706

Descrição: MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
BUK7215-55A,118

BUK7215-55A,118

Descrição: MOSFET N-CH 55V 55A DPAK

Fabricantes: Nexperia
Disponível
RFQ
IRFR5505TRL

IRFR5505TRL

Descrição: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
MIC94031BM4 TR

MIC94031BM4 TR

Descrição: MOSFET P-CH 16V 1A SOT-143

Fabricantes: Micrel / Microchip Technology
Disponível
RFQ
Como o único distribuidor público de mercado aberto, possuímos uma combinação única de acesso global, experiência na indústria de manufatura e qualidade comprovada.Com isso, podemos criar soluções personalizadas de cadeia de suprimentos de ponta a ponta para o fornecimento de componentes eletrônicos e gerenciamento de inventário.
SEGUE-NOS
termos e CondiçõesPolítica de infraçãoSolicitar uma cotaçãoSobre nósContate-nosMapa do site

Selecione o idioma

Clique no espaço para sair

Linguagem atual

Escolha o seu país ou a sua região.