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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Diodos - retificadores - Single > US1JHE3_A/H
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5326645Imagem US1JHE3_A/H.Electro-Films (EFI) / Vishay

US1JHE3_A/H

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
1800+
$0.137
3600+
$0.125
5400+
$0.118
12600+
$0.11
45000+
$0.101
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    US1JHE3_A/H
  • Fabricante / Marca
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
  • Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se
    1.7V @ 1A
  • Tensão - DC reversa (Vr) (Max)
    600V
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    DO-214AC (SMA)
  • Velocidade
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Série
    Automotive, AEC-Q101
  • Inversa de tempo de recuperação (trr)
    75ns
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    DO-214AC, SMA
  • Outros nomes
    US1JHE3_A/HGITR
  • Temperatura de Operação - Junção
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo Diode
    Standard
  • Descrição detalhada
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Atual - dispersão reversa @ Vr
    10µA @ 600V
  • Atual - rectificada média (Io)
    1A
  • Capacitância @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
  • Número da peça base
    US1J
US1K-M3/5AT

US1K-M3/5AT

Descrição: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
US1JDF-13

US1JDF-13

Descrição: DIODE GEN PURPOSE 600V 1A DFLAT

Fabricantes: Diodes Incorporated
Disponível
US1JHE3_A/I

US1JHE3_A/I

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
US1JDFQ-13

US1JDFQ-13

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 1A DFLAT

Fabricantes: Diodes Incorporated
Disponível
US1JHM2G

US1JHM2G

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
US1JE-TP

US1JE-TP

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 1A SMAE

Fabricantes: Micro Commercial Components (MCC)
Disponível
US1K-13-F

US1K-13-F

Descrição: DIODE GEN PURP 800V 1A SMA

Fabricantes: Diodes Incorporated
Disponível
US1JFL-TP

US1JFL-TP

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 1A DO221AC

Fabricantes: Micro Commercial Components (MCC)
Disponível
US1JHR3G

US1JHR3G

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
US1JFA

US1JFA

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123FA

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Disponível
US1K M2G

US1K M2G

Descrição: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
US1K-E3/5AT

US1K-E3/5AT

Descrição: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
US1JHE3/61T

US1JHE3/61T

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
US1J/1

US1J/1

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division
Disponível
US1J-TP

US1J-TP

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricantes: Micro Commercial Components (MCC)
Disponível
US1JHE3/5AT

US1JHE3/5AT

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
US1K-13

US1K-13

Descrição: DIODE GEN PURP 800V 1A SMA

Fabricantes: Diodes Incorporated
Disponível
US1K R3G

US1K R3G

Descrição: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
US1K-E3/61T

US1K-E3/61T

Descrição: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
US1J-M3/61T

US1J-M3/61T

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível

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