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Casa > Produtos > Isoladores de > Isoladores - Gate Drivers > SI8261BBC-C-IS

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SI8261BBC-C-IS

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$1.356

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

SI8261BBC-C-IS
Fabricante / Marca

Energy Micro (Silicon Labs)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SI8261BBC-C-IS.pdf
Tensão - Fornecimento

9.4 V ~ 30 V
Tensão - Isolamento

3750Vrms
Voltagem - Avanço (Vf) (Tipo)

2.8V (Max)
Tecnologia

Capacitive Coupling
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-SOIC
Série

Automotive, AEC-Q100
Aumento / tempo de queda (típico)

5.5ns, 8.5ns
Distorção de largura de pulso (máx.)

28ns
Atraso de propagação tpLH / tpHL (Max)

60ns, 50ns
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de operação

-40°C ~ 125°C
Número de canais

1
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

3 (168 Hours)
Tempo de entrega padrão do fabricante

6 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada

4A Gate Driver Capacitive Coupling 3750Vrms 1 Channel 8-SOIC
Atual - de saída de pico

4A
Atual - Saída Alto, Baixo

500mA, 1.2A
Corrente - Avanço DC (Se) (Máx.)

30mA
Imunidade Transiente em Modo Comum (Min)

35kV/µs
aprovações

CQC, CSA, UR, VDE

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