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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > FDMS86350ET80

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FDMS86350ET80

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500+

$2.447

1000+

$2.064

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FDMS86350ET80
Fabricante / Marca

Fairchild (onsemi)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FDMS86350ET80.pdf
Tensão - Teste

8030pF @ 40V
Tensão - Breakdown

Power56
VGS (th) (Max) @ Id

2.4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (Max)

8V, 10V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Série

PowerTrench®
Status de RoHS

Digi-Reel®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

25A (Ta), 198A (Tc)
Polarização

8-PowerTDFN
Outros nomes

FDMS86350ET80DKR
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

6 Weeks
Número de peça do fabricante

FDMS86350ET80
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

155nC @ 10V
Tipo de IGBT

±20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

4.5V @ 250µA
Característica FET

N-Channel
Descrição expandida

N-Channel 80V 25A (Ta), 198A (Tc) 3.3W (Ta), 187W (Tc) Surface Mount Power56
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

-
Descrição

MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

80V
Rácio de capacitância

3.3W (Ta), 187W (Tc)

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