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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Diodos - retificadores - Single > 1N8032-GA

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4529925

Imagem 1N8032-GA.

GeneSiC Semiconductor

1N8032-GA

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Disponível

1+

$192.57

10+

$183.27

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

1N8032-GA
Fabricante / Marca

GeneSiC Semiconductor
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257
Status sem chumbo / Status RoHS

Contém chumbo / RoHS não compatível
Fichas de dados

1N8032-GA.pdf
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se

1.3V @ 2.5A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max)

650V
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-257
Velocidade

No Recovery Time > 500mA (Io)
Série

-
Inversa de tempo de recuperação (trr)

0ns
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-257-3
Outros nomes

1242-1119
1N8032GA
Temperatura de Operação - Junção

-55°C ~ 250°C
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

18 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo Diode

Silicon Carbide Schottky
Descrição detalhada

Diode Silicon Carbide Schottky 650V 2.5A Through Hole TO-257
Atual - dispersão reversa @ Vr

5µA @ 650V
Atual - rectificada média (Io)

2.5A
Capacitância @ Vr, F

274pF @ 1V, 1MHz
Número da peça base

1N8032

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