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7003431

MUR20060CT

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

25+

$63.403

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

MUR20060CT
Fabricante / Marca

GeneSiC Semiconductor
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

DIODE MODULE 600V 200A 2TOWER
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.MUR20060CT.pdf
2.MUR20060CT.pdf
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se

1.7V @ 50A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max)

600V
Embalagem do dispositivo fornecedor

Twin Tower
Velocidade

Fast Recovery = 200mA (Io)
Série

-
Inversa de tempo de recuperação (trr)

110ns
Embalagem

Bulk
Caixa / Gabinete

Twin Tower
Outros nomes

MUR20060CTGN
Temperatura de Operação - Junção

-55°C ~ 150°C
Tipo de montagem

Chassis Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

4 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo Diode

Schottky
configuração de diodo

1 Pair Common Cathode
Descrição detalhada

Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 600V 200A (DC) Chassis Mount Twin Tower
Atual - dispersão reversa @ Vr

25µA @ 50V
Atual - rectificada média (Io) (por Diode)

200A (DC)

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