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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Matrizes de Diodos-retificadores - de > MURT20060R

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Imagem MURT20060R.

GeneSiC Semiconductor

MURT20060R

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Disponível

25+

$63.403

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

MURT20060R
Fabricante / Marca

GeneSiC Semiconductor
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.MURT20060R.pdf
2.MURT20060R.pdf
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se

1.7V @ 100A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max)

600V
Embalagem do dispositivo fornecedor

Three Tower
Velocidade

Fast Recovery = 200mA (Io)
Série

-
Inversa de tempo de recuperação (trr)

160ns
Embalagem

Bulk
Caixa / Gabinete

Three Tower
Outros nomes

MURT20060RGN
Tipo de montagem

Chassis Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

4 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo Diode

Standard
configuração de diodo

1 Pair Common Anode
Descrição detalhada

Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 600V 200A (DC) Chassis Mount Three Tower
Atual - dispersão reversa @ Vr

25µA @ 50V
Atual - rectificada média (Io) (por Diode)

200A (DC)

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