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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > GP1M007A090H

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2113413

Imagem GP1M007A090H.

Global Power Technologies Group

GP1M007A090H

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

GP1M007A090H
Fabricante / Marca

SemiQ
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 900V 7A TO220
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

GP1M007A090H.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-220
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

1.9 Ohm @ 3.5A, 10V
Dissipação de energia (Max)

250W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-220-3
Outros nomes

1560-1165-1
1560-1165-1-ND
1560-1165-5
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1969pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

49nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

900V
Descrição detalhada

N-Channel 900V 7A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

7A (Tc)

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