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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > GP1M009A090N

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517001

Imagem GP1M009A090N.

Global Power Technologies Group

GP1M009A090N

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

GP1M009A090N
Fabricante / Marca

SemiQ
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

GP1M009A090N.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-3PN
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

1.4 Ohm @ 4.75A, 10V
Dissipação de energia (Max)

312W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-3P-3, SC-65-3
Outros nomes

1560-1174-1
1560-1174-1-ND
1560-1174-5
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2324pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

900V
Descrição detalhada

N-Channel 900V 9.5A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-3PN
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

9.5A (Tc)

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