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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > GP2M023A050N
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785275Imagem GP2M023A050N.Global Power Technologies Group

GP2M023A050N

Inquérito On-line

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Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    GP2M023A050N
  • Fabricante / Marca
    SemiQ
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    GP2M023A050N.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    TO-3PN
  • Série
    -
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    220 mOhm @ 11.5A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    347W (Tc)
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Through Hole
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    3270pF @ 25V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    64nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    500V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 500V 23A (Tc) 347W (Tc) Through Hole TO-3PN
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    23A (Tc)

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Envio
Pagamento
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GP2M020A050F

GP2M020A050F

Descrição: MOSFET N-CH 500V 18A TO220F

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Disponível
RFQ
GP2S24J0000F

GP2S24J0000F

Descrição: PHOTOINTERRUPTER TRANS OUT 4X3

Fabricantes: Sharp Microelectronics
Disponível
RFQ
GP2S27T2J00F

GP2S27T2J00F

Descrição: PHOTOINTERRUPTER REFL 0.7MM SMD

Fabricantes: Sharp Microelectronics
Disponível
RFQ
GP2M020A050H

GP2M020A050H

Descrição: MOSFET N-CH 500V 18A TO220

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Disponível
RFQ
GP2S27T

GP2S27T

Descrição: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM SMD

Fabricantes: Sharp Microelectronics
Disponível
RFQ
GP2S24BJ000F

GP2S24BJ000F

Descrição: PHOTOINTERRUPTER REFL 0.7MM PCB

Fabricantes: Sharp Microelectronics
Disponível
RFQ
GP2S24BCJ00F

GP2S24BCJ00F

Descrição: PHOTOINTERRUPTER TRANS OUT 4X3

Fabricantes: Sharp Microelectronics
Disponível
RFQ
GP2M011A090NG

GP2M011A090NG

Descrição: MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Disponível
RFQ
GP2M020A060N

GP2M020A060N

Descrição: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Disponível
RFQ
GP2S27T3J00F

GP2S27T3J00F

Descrição: PHOTOINTERRUPTER REFL 0.7MM SMD

Fabricantes: Sharp Microelectronics
Disponível
RFQ
GP2M012A080NG

GP2M012A080NG

Descrição: MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Disponível
RFQ
GP2M012A060F

GP2M012A060F

Descrição: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Disponível
RFQ
GP2S24

GP2S24

Descrição: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM DIP

Fabricantes: Sharp Microelectronics
Disponível
RFQ
GP2M020A050N

GP2M020A050N

Descrição: MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Disponível
RFQ
GP2M010A065H

GP2M010A065H

Descrição: MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Disponível
RFQ
GP2S24CJ000F

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Descrição: PHOTOINTERRUPTER REFL 0.7MM PCB

Fabricantes: Sharp Microelectronics
Disponível
RFQ
GP2S24ABJ00F

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Descrição: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM PCB

Fabricantes: Sharp Microelectronics
Disponível
RFQ
GP2M012A060H

GP2M012A060H

Descrição: MOSFET N-CH 600V 12A TO220

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Disponível
RFQ
GP2S27T6J00F

GP2S27T6J00F

Descrição: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM SMD

Fabricantes: Sharp Microelectronics
Disponível
RFQ
GP2M013A050F

GP2M013A050F

Descrição: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Disponível
RFQ
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