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Casa > Produtos > Circuitos integrados (ICs) > Memória > 70T651S10DR

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Imagem 70T651S10DR.

IDT (Integrated Device Technology)

70T651S10DR

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

70T651S10DR
Fabricante / Marca

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP
Status sem chumbo / Status RoHS

Contém chumbo / RoHS não compatível
Fichas de dados

70T651S10DR.pdf
Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página

10ns
Tensão - Fornecimento

2.4 V ~ 2.6 V
Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous
Embalagem do dispositivo fornecedor

208-PQFP (28x28)
Série

-
Embalagem

Tray
Caixa / Gabinete

208-BFQFP
Outros nomes

IDT70T651S10DR
IDT70T651S10DR-ND
Temperatura de operação

0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memória

Volatile
Tamanho da memória

9Mb (256K x 36)
Interface de memória

Parallel
Formato de memória

SRAM
Status sem chumbo / status de RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Descrição detalhada

SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 9Mb (256K x 36) Parallel 10ns 208-PQFP (28x28)
Número da peça base

IDT70T651
Tempo de acesso

10ns

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