7164S35TDB

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Especificações

Modelo do Produto

7164S35TDB
Fabricante / Marca

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

IC SRAM 64K PARALLEL 28CDIP
Status sem chumbo / Status RoHS

Contém chumbo / RoHS não compatível
Fichas de dados

1.7164S35TDB.pdf
2.7164S35TDB.pdf
Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página

35ns
Tensão - Fornecimento

4.5 V ~ 5.5 V
Tecnologia

SRAM - Asynchronous
Embalagem do dispositivo fornecedor

28-CDIP
Série

-
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

28-CDIP (0.300", 7.62mm)
Outros nomes

IDT7164S35TDB
IDT7164S35TDB-ND
Temperatura de operação

-55°C ~ 125°C (TA)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tipo de memória

Volatile
Tamanho da memória

64Kb (8K x 8)
Interface de memória

Parallel
Formato de memória

SRAM
Tempo de entrega padrão do fabricante

10 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Descrição detalhada

SRAM - Asynchronous Memory IC 64Kb (8K x 8) Parallel 35ns 28-CDIP
Tempo de acesso

35ns

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