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Casa > Produtos > Circuitos integrados (ICs) > Memória > IDT70P3517S233RMI

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Imagem IDT70P3517S233RMI.

IDT (Integrated Device Technology)

IDT70P3517S233RMI

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IDT70P3517S233RMI
Fabricante / Marca

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

IC SRAM 9M PARALLEL 576FCBGA
Status sem chumbo / Status RoHS

Contém chumbo / RoHS não compatível
Fichas de dados

IDT70P3517S233RMI.pdf
Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página

-
Tensão - Fornecimento

1.7 V ~ 1.9 V
Tecnologia

SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II
Embalagem do dispositivo fornecedor

576-FCBGA (25x25)
Série

-
Embalagem

Tray
Caixa / Gabinete

576-BBGA, FCBGA
Outros nomes

70P3517S233RMI
Temperatura de operação

-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

4 (72 Hours)
Tipo de memória

Volatile
Tamanho da memória

9Mb (256K x 36)
Interface de memória

Parallel
Formato de memória

SRAM
Status sem chumbo / status de RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Descrição detalhada

SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II Memory IC 9Mb (256K x 36) Parallel 233MHz 7.2ns 576-FCBGA (25x25)
Freqüência de relógio

233MHz
Número da peça base

IDT70P3517
Tempo de acesso

7.2ns

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Forma de pagamento

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Envio

Pagamento

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Disponível

IDT70P3337S233RM

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Disponível

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Descrição: IC SRAM 18M PARALLEL 576FCBGA

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IDT70P3337S233RMI

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Descrição: IC SRAM 9M PARALLEL 576FCBGA

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IDT70T3319S133DDI

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Descrição: IC SRAM 18M PARALLEL 576FCBGA

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