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Casa > Produtos > Circuitos integrados (ICs) > Memória > IDT7164S35YG

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Imagem IDT7164S35YG.

IDT (Integrated Device Technology)

IDT7164S35YG

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IDT7164S35YG
Fabricante / Marca

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.IDT7164S35YG.pdf
2.IDT7164S35YG.pdf
Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página

35ns
Tensão - Fornecimento

4.5 V ~ 5.5 V
Tecnologia

SRAM - Asynchronous
Embalagem do dispositivo fornecedor

28-SOJ
Série

-
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
Outros nomes

7164S35YG
Temperatura de operação

0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tipo de memória

Volatile
Tamanho da memória

64Kb (8K x 8)
Interface de memória

Parallel
Formato de memória

SRAM
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada

SRAM - Asynchronous Memory IC 64Kb (8K x 8) Parallel 35ns 28-SOJ
Número da peça base

IDT7164
Tempo de acesso

35ns

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