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Casa > Produtos > Circuitos integrados (ICs) > Memória > IS43DR16160B-3DBLI
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5335057Imagem IS43DR16160B-3DBLI.ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS43DR16160B-3DBLI

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
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$5.577
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    IS43DR16160B-3DBLI
  • Fabricante / Marca
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    IS43DR16160B-3DBLI.pdf
  • Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página
    15ns
  • Tensão - Fornecimento
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnologia
    SDRAM - DDR2
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    84-TWBGA (8x12.5)
  • Série
    -
  • Embalagem
    Tray
  • Caixa / Gabinete
    84-TFBGA
  • Temperatura de operação
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memória
    Volatile
  • Tamanho da memória
    256Mb (16M x 16)
  • Interface de memória
    Parallel
  • Formato de memória
    DRAM
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrição detalhada
    SDRAM - DDR2 Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 333MHz 450ps 84-TWBGA (8x12.5)
  • Freqüência de relógio
    333MHz
  • Tempo de acesso
    450ps

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IS43DR16320C-25DBL-TR

IS43DR16320C-25DBL-TR

Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Disponível
RFQ
IS43DR16320C-25DBI

IS43DR16320C-25DBI

Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Disponível
RFQ
IS43DR16320C-25DBI-TR

IS43DR16320C-25DBI-TR

Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Disponível
RFQ
IS43DR16160B-3DBL

IS43DR16160B-3DBL

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Disponível
RFQ
IS43DR16160B-37CBL-TR

IS43DR16160B-37CBL-TR

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Disponível
RFQ
IS43DR16160B-3DBI

IS43DR16160B-3DBI

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Disponível
RFQ
IS43DR16320C-3DBL

IS43DR16320C-3DBL

Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Disponível
RFQ
IS43DR16320C-25DBLI-TR

IS43DR16320C-25DBLI-TR

Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Disponível
RFQ
IS43DR16160B-37CBLI-TR

IS43DR16160B-37CBLI-TR

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Disponível
RFQ
IS43DR16320C-25DBLI

IS43DR16320C-25DBLI

Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Disponível
RFQ
IS43DR16320C-3DBI-TR

IS43DR16320C-3DBI-TR

Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Disponível
RFQ
IS43DR16160B-25DBLI

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Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Disponível
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IS43DR16160B-37CBLI

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Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS43DR16320C-25DBL

IS43DR16320C-25DBL

Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Disponível
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IS43DR16320C-3DBI

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Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

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IS43DR16160B-3DBL-TR

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IS43DR16160B-3DBI-TR

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IS43DR16160B-3DBLI-TR

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IS43DR16160B-25DBLI-TR

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Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Disponível
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IS43DR16160B-37CBL

IS43DR16160B-37CBL

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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