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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXFA3N120TRL

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542740

Imagem IXFA3N120TRL.

IXYS Corporation

IXFA3N120TRL

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Disponível

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$4.391

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IXFA3N120TRL
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IXFA3N120TRL.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 1.5mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-263
Série

HiPerFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

4.5 Ohm @ 1.5A, 10V
Dissipação de energia (Max)

200W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes

IXFA3N120TRLTR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

14 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1050pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

1200V
Descrição detalhada

N-Channel 1200V 3A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

3A (Tc)

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