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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXFH20N85X

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3419994

Imagem IXFH20N85X.

IXYS Corporation

IXFH20N85X

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Disponível

1+

$7.99

30+

$6.554

120+

$5.914

510+

$4.955

1020+

$4.316

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IXFH20N85X
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

850V/20A ULTRA JUNCTION X-CLASS
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IXFH20N85X.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5.5V @ 2.5mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-247
Série

HiPerFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

330 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipação de energia (Max)

540W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-247-3
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

24 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1660pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

850V
Descrição detalhada

N-Channel 850V 20A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-247
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

20A (Tc)

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