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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXFK200N10P

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3552424

Imagem IXFK200N10P.

IXYS Corporation

IXFK200N10P

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

25+

$10.659

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IXFK200N10P
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 100V 200A TO-264
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IXFK200N10P.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 8mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-264AA (IXFK)
Série

HiPerFET™, PolarP2™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

7.5 mOhm @ 100A, 10V
Dissipação de energia (Max)

830W (Tc)
Embalagem

Bulk
Caixa / Gabinete

TO-264-3, TO-264AA
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

26 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

7600pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

235nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

100V
Descrição detalhada

N-Channel 100V 200A (Tc) 830W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

200A (Tc)

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