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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXFK32N50Q

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1903124

Imagem IXFK32N50Q.

IXYS Corporation

IXFK32N50Q

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IXFK32N50Q
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 500V 32A TO-264
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IXFK32N50Q.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 4mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-264AA (IXFK)
Série

HiPerFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

160 mOhm @ 16A, 10V
Dissipação de energia (Max)

416W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-264-3, TO-264AA
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3950pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

500V
Descrição detalhada

N-Channel 500V 32A (Tc) 416W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

32A (Tc)

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