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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXFN180N07
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4459056Imagem IXFN180N07.IXYS Corporation

IXFN180N07

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
10+
$23.181
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    IXFN180N07
  • Fabricante / Marca
    IXYS / Littelfuse
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 70V 180A SOT-227B
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    IXFN180N07.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 8mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    SOT-227B
  • Série
    HiPerFET™
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    7 mOhm @ 500mA, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    520W (Tc)
  • Embalagem
    Tube
  • Caixa / Gabinete
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Chassis Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    9000pF @ 25V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    480nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    70V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 70V 180A (Tc) 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    180A (Tc)

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Envio
Pagamento
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