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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXFN360N10T
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5667020Imagem IXFN360N10T.IXYS Corporation

IXFN360N10T

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
1+
$20.99
10+
$19.08
30+
$17.649
100+
$16.218
250+
$14.787
500+
$13.833
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    IXFN360N10T
  • Fabricante / Marca
    IXYS / Littelfuse
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    IXFN360N10T.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    SOT-227B
  • Série
    HiPerFET™
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    2.6 mOhm @ 180A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    830W (Tc)
  • Embalagem
    Tube
  • Caixa / Gabinete
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Chassis Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tempo de entrega padrão do fabricante
    24 Weeks
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    36000pF @ 25V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    505nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    100V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 100V 360A (Tc) 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    360A (Tc)

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Envio
Pagamento
O seguinte é "IXFN360N10T" produtos relacionados.
IXFN38N80Q2

IXFN38N80Q2

Descrição: MOSFET N-CH 800V 38A SOT-227

Fabricantes: IXYS Corporation
Disponível
RFQ
IXFN32N60

IXFN32N60

Descrição: MOSFET N-CH 600V 32A SOT-227

Fabricantes: IXYS Corporation
Disponível
RFQ
IXFN36N110P

IXFN36N110P

Descrição: MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B

Fabricantes: IXYS Corporation
Disponível
RFQ
IXFN36N100

IXFN36N100

Descrição: MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B

Fabricantes: IXYS Corporation
Disponível
RFQ
IXFN32N80P

IXFN32N80P

Descrição: MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B

Fabricantes: IXYS
Disponível
RFQ
IXFN36N60

IXFN36N60

Descrição: MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B

Fabricantes: IXYS Corporation
Disponível
RFQ
IXFN32N100P

IXFN32N100P

Descrição: MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B

Fabricantes: IXYS Corporation
Disponível
RFQ
IXFN32N100Q3

IXFN32N100Q3

Descrição: MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227

Fabricantes: IXYS Corporation
Disponível
RFQ
IXFN34N100

IXFN34N100

Descrição: MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B

Fabricantes: IXYS Corporation
Disponível
RFQ
IXFN340N07

IXFN340N07

Descrição: MOSFET N-CH 70V 340A SOT-227B

Fabricantes: IXYS Corporation
Disponível
RFQ
IXFN32N120P

IXFN32N120P

Descrição: MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B

Fabricantes: IXYS Corporation
Disponível
RFQ
IXFN340N06

IXFN340N06

Descrição: MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B

Fabricantes: IXYS Corporation
Disponível
RFQ
IXFN320N17T2

IXFN320N17T2

Descrição: MOSFET N-CH 170V 260A SOT227

Fabricantes: IXYS Corporation
Disponível
RFQ
IXFN38N100Q2

IXFN38N100Q2

Descrição: MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227

Fabricantes: IXYS Corporation
Disponível
RFQ
IXFN34N80

IXFN34N80

Descrição: MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B

Fabricantes: IXYS Corporation
Disponível
RFQ
IXFN38N100P

IXFN38N100P

Descrição: MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B

Fabricantes: IXYS Corporation
Disponível
RFQ
IXFN40N110P

IXFN40N110P

Descrição: MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B

Fabricantes: IXYS Corporation
Disponível
RFQ
IXFN39N90

IXFN39N90

Descrição: MOSFET N-CH 900V 39A SOT-227B

Fabricantes: IXYS Corporation
Disponível
RFQ
IXFN360N15T2

IXFN360N15T2

Descrição: MOSFET N-CH 150V 310A SOT227

Fabricantes: IXYS Corporation
Disponível
RFQ
IXFN400N15X3

IXFN400N15X3

Descrição: MOSFET N-CH

Fabricantes: IXYS Corporation
Disponível
RFQ
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