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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXFN40N110Q3

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1719245

Imagem IXFN40N110Q3.

IXYS Corporation

IXFN40N110Q3

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

10+

$40.361

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IXFN40N110Q3
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 1100V 35A SOT-227B
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IXFN40N110Q3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

6.5V @ 8mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

SOT-227B
Série

HiPerFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

260 mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max)

960W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Chassis Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

24 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

14000pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

300nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

1100V
Descrição detalhada

N-Channel 1100V 35A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

35A (Tc)

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