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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXFP18N60X

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752603

Imagem IXFP18N60X.

IXYS Corporation

IXFP18N60X

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Disponível

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$5.894

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IXFP18N60X
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 600V 18A TO-220
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IXFP18N60X.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1.5mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-220AB
Série

HiPerFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

230 mOhm @ 9A, 10V
Dissipação de energia (Max)

320W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-220-3
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

24 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1440pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

600V
Descrição detalhada

N-Channel 600V 18A (Tc) 320W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

18A (Tc)

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Forma de pagamento

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