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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXFP34N65X2

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Imagem IXFP34N65X2.

IXYS Corporation

IXFP34N65X2

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1000+

$3.059

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IXFP34N65X2
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 650V 34A TO-220
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IXFP34N65X2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5.5V @ 2.5mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-220AB
Série

HiPerFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

105 mOhm @ 17A, 10V
Dissipação de energia (Max)

540W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-220-3
Outros nomes

IXFP34N65X2X
IXFP34N65X2X-ND
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

24 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3330pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

650V
Descrição detalhada

N-Channel 650V 34A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

34A (Tc)

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