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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXFR26N50Q

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3935539

Imagem IXFR26N50Q.

IXYS Corporation

IXFR26N50Q

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IXFR26N50Q
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IXFR26N50Q.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 4mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

ISOPLUS247™
Série

HiPerFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

200 mOhm @ 13A, 10V
Dissipação de energia (Max)

250W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

ISOPLUS247™
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3900pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

95nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

500V
Descrição detalhada

N-Channel 500V 24A (Tc) 250W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

24A (Tc)

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