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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - IGBTs - Single > IXGT32N120A3

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5994607

Imagem IXGT32N120A3.

IXYS Corporation

IXGT32N120A3

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510+

$5.175

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IXGT32N120A3
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

IGBT 1200V 75A 300W TO268
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IXGT32N120A3.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

1200V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic

2.35V @ 15V, 32A
Condição de teste

-
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C

-
Alternando Energia

-
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-268
Série

GenX3™
Power - Max

300W
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

24 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada

Standard
Tipo de IGBT

PT
portão de carga

89nC
Descrição detalhada

IGBT PT 1200V 75A 300W Surface Mount TO-268
Atual - Collector Pulsada (ICM)

230A
Atual - Collector (Ic) (Max)

75A

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