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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - IGBTs - Single > IXSP10N60B2D1

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Imagem IXSP10N60B2D1.

IXYS Corporation

IXSP10N60B2D1

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IXSP10N60B2D1
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

IGBT 600V 20A 100W TO220AB
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IXSP10N60B2D1.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

600V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic

2.5V @ 15V, 10A
Condição de teste

480V, 10A, 30 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C

30ns/180ns
Alternando Energia

430µJ (off)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-220AB
Série

-
Inversa de tempo de recuperação (trr)

25ns
Power - Max

100W
Embalagem

Bulk
Caixa / Gabinete

TO-220-3
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada

Standard
Tipo de IGBT

PT
portão de carga

17nC
Descrição detalhada

IGBT PT 600V 20A 100W Through Hole TO-220AB
Atual - Collector Pulsada (ICM)

30A
Atual - Collector (Ic) (Max)

20A
Número da peça base

IXS*10N60

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Forma de pagamento

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