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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXTA08N100D2

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6014980

Imagem IXTA08N100D2.

IXYS Corporation

IXTA08N100D2

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Disponível

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$2.14

50+

$1.725

100+

$1.553

500+

$1.208

1000+

$1.001

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IXTA08N100D2
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IXTA08N100D2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-263 (IXTA)
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

21 Ohm @ 400mA, 0V
Dissipação de energia (Max)

60W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

24 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

325pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

14.6nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

Depletion Mode
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

-
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

1000V
Descrição detalhada

N-Channel 1000V 800mA (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

800mA (Tc)

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