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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXTA110N055T7

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782216

Imagem IXTA110N055T7.

IXYS Corporation

IXTA110N055T7

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

50+

$2.243

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IXTA110N055T7
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 55V 110A TO-263-7
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IXTA110N055T7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 100µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-263-7 (IXTA..7)
Série

TrenchMV™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

7 mOhm @ 25A, 10V
Dissipação de energia (Max)

230W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3080pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

67nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

55V
Descrição detalhada

N-Channel 55V 110A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount TO-263-7 (IXTA..7)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

110A (Tc)

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