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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXTA1R4N120P

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405330

Imagem IXTA1R4N120P.

IXYS Corporation

IXTA1R4N120P

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

50+

$3.726

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IXTA1R4N120P
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-263
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IXTA1R4N120P.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 100µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-263 (IXTA)
Série

Polar™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

13 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipação de energia (Max)

86W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

24 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

666pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

24.8nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

1200V
Descrição detalhada

N-Channel 1200V 1.4A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

1.4A (Tc)

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