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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXTF6N200P3

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IXTF6N200P3

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Disponível

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$24.828

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Especificações

Modelo do Produto

IXTF6N200P3
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH
Status sem chumbo / Status RoHS
Fichas de dados

IXTF6N200P3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

ISOPLUS i4-PAC™
Série

Polar™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

4.2 Ohm @ 3A, 10V
Dissipação de energia (Max)

215W (Tc)
Caixa / Gabinete

ISOPLUSi5-Pak™
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Tempo de entrega padrão do fabricante

24 Weeks
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3700pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

143nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

2000V
Descrição detalhada

N-Channel 2000V 4A (Tc) 215W (Tc) Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

4A (Tc)

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