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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXTH120P065T

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2928663

Imagem IXTH120P065T.

IXYS Corporation

IXTH120P065T

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

30+

$5.641

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IXTH120P065T
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET P-CH 65V 120A TO-247
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IXTH120P065T.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±15V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-247 (IXTH)
Série

TrenchP™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

10 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipação de energia (Max)

298W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-247-3
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

24 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

13200pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

185nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

65V
Descrição detalhada

P-Channel 65V 120A (Tc) 298W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

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