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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXTP1R6N100D2

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859490

Imagem IXTP1R6N100D2.

IXYS Corporation

IXTP1R6N100D2

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

50+

$2.128

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IXTP1R6N100D2
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IXTP1R6N100D2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-220AB
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

10 Ohm @ 800mA, 0V
Dissipação de energia (Max)

100W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-220-3
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

24 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

645pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

Depletion Mode
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

1000V
Descrição detalhada

N-Channel 1000V 1.6A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

1.6A (Tc)

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