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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXTQ14N60P

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4603815

Imagem IXTQ14N60P.

IXYS Corporation

IXTQ14N60P

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

30+

$3.338

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IXTQ14N60P
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 600V 14A TO-3P
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IXTQ14N60P.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-3P
Série

PolarHV™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

550 mOhm @ 7A, 10V
Dissipação de energia (Max)

300W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2500pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

600V
Descrição detalhada

N-Channel 600V 14A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

14A (Tc)

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