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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXTT36N50P

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5336921

Imagem IXTT36N50P.

IXYS Corporation

IXTT36N50P

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

30+

$8.581

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IXTT36N50P
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IXTT36N50P.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-268
Série

PolarHV™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

170 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipação de energia (Max)

540W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5500pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

85nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

500V
Descrição detalhada

N-Channel 500V 36A (Tc) 540W (Tc) Surface Mount TO-268
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

36A (Tc)

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