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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXTV200N10TS

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1862807

Imagem IXTV200N10TS.

IXYS Corporation

IXTV200N10TS

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IXTV200N10TS
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220SMD
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IXTV200N10TS.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

PLUS-220SMD
Série

TrenchMV™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

5.5 mOhm @ 50A, 10V
Dissipação de energia (Max)

550W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

PLUS-220SMD
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

9400pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

152nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

100V
Descrição detalhada

N-Channel 100V 200A (Tc) 550W (Tc) Surface Mount PLUS-220SMD
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

200A (Tc)

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