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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXTY01N100D

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1640246

IXTY01N100D

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560+

$1.61

1050+

$1.334

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IXTY01N100D
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IXTY01N100D.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-252, (D-Pak)
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

110 Ohm @ 50mA, 0V
Dissipação de energia (Max)

1.1W (Ta), 25W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

24 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

120pF @ 25V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

Depletion Mode
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

-
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

1000V
Descrição detalhada

N-Channel 1000V 100mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

100mA (Tc)

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