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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - IGBTs - Single > IXXP12N65B4D1

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6725177

Imagem IXXP12N65B4D1.

IXYS Corporation

IXXP12N65B4D1

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

50+

$2.433

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IXXP12N65B4D1
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

IGBT
Status sem chumbo / Status RoHS
Fichas de dados

IXXP12N65B4D1.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

650V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic

1.95V @ 15V, 12A
Condição de teste

400V, 12A, 20 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C

13ns/158ns
Alternando Energia

440µJ (on), 220µJ (off)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-220
Série

XPT™, GenX4™
Inversa de tempo de recuperação (trr)

43ns
Power - Max

160W
Caixa / Gabinete

TO-220-3
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Tempo de entrega padrão do fabricante

24 Weeks
Tipo de entrada

Standard
Tipo de IGBT

-
portão de carga

34nC
Descrição detalhada

IGBT 650V 38A 160W Through Hole TO-220
Atual - Collector Pulsada (ICM)

70A
Atual - Collector (Ic) (Max)

38A

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Pagamento

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Descrição: IGBT 600V 200A SOT-227

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Fabricantes: IXYS Corporation

Disponível

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Descrição: IGBT 600V 170A 695W PLUS247

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Fabricantes: IXYS Corporation

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Descrição: IGBT 600V 510A 2300W TO264

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