International Rectifier (Infineon Technologies)

64-0007

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Especificações

Modelo do Produto

64-0007
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
Status sem chumbo / Status RoHS

Contém chumbo / RoHS não compatível
Fichas de dados

64-0007.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-220AB
Série

HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

150 mOhm @ 11A, 10V
Dissipação de energia (Max)

150W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-220-3
Outros nomes

*IRF640N
IRF640N
IRF640N-ND
SP001522470
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1160pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

67nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

200V
Descrição detalhada

N-Channel 200V 18A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

18A (Tc)

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