International Rectifier (Infineon Technologies)

BSC123N10LSGATMA1

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

$1.242

10+

$1.214

30+

$1.195

100+

$1.176

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

BSC123N10LSGATMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

BSC123N10LSGATMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

2.4V @ 72µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

PG-TDSON-8
Série

OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

12.3 mOhm @ 50A, 10V
Dissipação de energia (Max)

114W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-PowerTDFN
Outros nomes

BSC123N10LS G
BSC123N10LS G-ND
BSC123N10LS GTR
BSC123N10LS GTR-ND
BSC123N10LSGATMA1TR
SP000379612
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4900pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

68nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

100V
Descrição detalhada

N-Channel 100V 10.6A (Ta), 71A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

10.6A (Ta), 71A (Tc)

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Remessa
Forma de pagamento

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Apoiamos vários métodos de pagamento, incluindo cartões de crédito, transferências de arame e outras opções e aceitamos a maioria das moedas.Para pedidos feitos em USD, opções de pagamento adicionais estão disponíveis.Para obter mais detalhes sobre métodos e procedimentos de pagamento, entre em contato com nossa equipe de vendas.

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BSC12DN20NS3GATMA1

Descrição: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

Disponível

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