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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - IGBTs - módulos > BSM200GB120DLCHOSA1
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BSM200GB120DLCHOSA1

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
10+
$175.901
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    BSM200GB120DLCHOSA1
  • Fabricante / Marca
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    IGBT 2 MED POWER 62MM-1
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, Ic
    2.6V @ 15V, 200A
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    Module
  • Série
    -
  • Power - Max
    1550W
  • Caixa / Gabinete
    Module
  • Outros nomes
    BSM200GB120DLC
    SP000100715
  • Temperatura de operação
    -40°C ~ 125°C
  • NTC Thermistor
    No
  • Tipo de montagem
    Chassis Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de entrada (Cies) @ Vce
    13nF @ 25V
  • Entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    -
  • Descrição detalhada
    IGBT Module Half Bridge 1200V 420A 1550W Chassis Mount Module
  • Atual - Collector Cutoff (Max)
    5mA
  • Atual - Collector (Ic) (Max)
    420A
  • Configuração
    Half Bridge
BSM15GP60BOSA1

BSM15GP60BOSA1

Descrição: IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
BSM300D12P2E001

BSM300D12P2E001

Descrição: MOSFET 2N-CH 1200V 300A

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
BSM20GP60BOSA1

BSM20GP60BOSA1

Descrição: IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
BSM200GB120DN2HOSA1

BSM200GB120DN2HOSA1

Descrição: IGBT 2 MED POWER 62MM-1

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
BSM200GB170DLCHOSA1

BSM200GB170DLCHOSA1

Descrição: IGBT 2 MED POWER 62MM-1

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
BSM25GD120DN2E3224BOSA1

BSM25GD120DN2E3224BOSA1

Descrição: IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
BSM25GP120BOSA1

BSM25GP120BOSA1

Descrição: IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
BSM2-C

BSM2-C

Descrição: CONN SPLICE 14-16 AWG CRIMP

Fabricantes: Panduit
Disponível
BSM200GA120DN2HOSA1

BSM200GA120DN2HOSA1

Descrição: IGBT 2 MED POWER 62MM-2

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
BSM2-X

BSM2-X

Descrição: CONN SPLICE 14-16 AWG CRIMP

Fabricantes: Panduit
Disponível
BSM200GD60DLCBOSA1

BSM200GD60DLCBOSA1

Descrição: IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
BSM200GA120DLCSHOSA1

BSM200GA120DLCSHOSA1

Descrição: IGBT 2 MED POWER 62MM-2

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
BSM15GP120BOSA1

BSM15GP120BOSA1

Descrição: IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
BSM300GA120DLCHOSA1

BSM300GA120DLCHOSA1

Descrição: IGBT 2 MED POWER 62MM-2

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
BSM180D12P2C101

BSM180D12P2C101

Descrição: MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
BSM25GD120DN2BOSA1

BSM25GD120DN2BOSA1

Descrição: IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
BSM180D12P3C007

BSM180D12P3C007

Descrição: SIC POWER MODULE

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
BSM200GB60DLCHOSA1

BSM200GB60DLCHOSA1

Descrição: IGBT MODULE 600V 230A

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
BSM200GA120DLCHOSA1

BSM200GA120DLCHOSA1

Descrição: IGBT 2 MED POWER 62MM-2

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
BSM200GA170DLCHOSA1

BSM200GA170DLCHOSA1

Descrição: IGBT 2 MED POWER 62MM-2

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível

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