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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > BSO303PNTMA1

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Imagem BSO303PNTMA1.

International Rectifier (Infineon Technologies)

BSO303PNTMA1

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

BSO303PNTMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET 2P-CH 30V 8.2A 8DSO
Status sem chumbo / Status RoHS

Contém chumbo / RoHS não compatível
Fichas de dados

BSO303PNTMA1.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 100µA
Embalagem do dispositivo fornecedor

P-DSO-8
Série

OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

21 mOhm @ 8.2A, 10V
Power - Max

2W
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes

BSO303P
BSO303P-ND
BSO303PNT
BSO303PNTMA1TR
BSO303PT
SP000012622
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1761pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

72.5nC @ 10V
Tipo FET

2 P-Channel (Dual)
Característica FET

Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 8.2A 2W Surface Mount P-DSO-8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

8.2A

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