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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > BSO612CVGHUMA1
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3709811Imagem BSO612CVGHUMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

BSO612CVGHUMA1

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
2500+
$0.465
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    BSO612CVGHUMA1
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    BSO612CVGHUMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 20µA
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    PG-DSO-8
  • Série
    SIPMOS®
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    120 mOhm @ 3A, 10V
  • Power - Max
    2W
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Outros nomes
    BSO612CV G
    BSO612CV G-ND
    BSO612CVGHUMA1TR
    BSO612CVGINTR
    BSO612CVGINTR-ND
    BSO612CVGT
    BSO612CVGXT
    BSO612CVT
    BSO612CVXTINTR
    BSO612CVXTINTR-ND
    SP000216307
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    340pF @ 25V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    15.5nC @ 10V
  • Tipo FET
    N and P-Channel
  • Característica FET
    Standard
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    60V
  • Descrição detalhada
    Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A, 2A 2W Surface Mount PG-DSO-8
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    3A, 2A
  • Número da peça base
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