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International Rectifier (Infineon Technologies)

BUZ32

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

BUZ32
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220AB
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

BUZ32.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

PG-TO-220-3
Série

SIPMOS®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

400 mOhm @ 6A, 10V
Dissipação de energia (Max)

75W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-220-3
Outros nomes

BUZ32-ND
BUZ32IN
BUZ32X
BUZ32XK
SP000011345
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

530pF @ 25V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

200V
Descrição detalhada

N-Channel 200V 9.5A (Tc) 75W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

9.5A (Tc)

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