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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - IGBTs - módulos > FF200R12KE3B2HOSA1
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FF200R12KE3B2HOSA1

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
10+
$115.745
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    FF200R12KE3B2HOSA1
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOD IGBT MED PWR 62MM-1
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, Ic
    2.15V @ 15V, 200A
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    Module
  • Série
    -
  • Power - Max
    1050W
  • Caixa / Gabinete
    Module
  • Outros nomes
    FF200R12KE3_B2
    SP000100748
  • Temperatura de operação
    -40°C ~ 125°C
  • NTC Thermistor
    No
  • Tipo de montagem
    Chassis Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de entrada (Cies) @ Vce
    14nF @ 25V
  • Entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    -
  • Descrição detalhada
    IGBT Module Half Bridge 1200V 295A 1050W Chassis Mount Module
  • Atual - Collector Cutoff (Max)
    5mA
  • Atual - Collector (Ic) (Max)
    295A
  • Configuração
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Envio
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Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
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Descrição: IGBT MODULE VCES 1200V 200A

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
FF200R12KE3HOSA1

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