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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - IGBTs - módulos > FF600R12ME4AB11BOSA1
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FF600R12ME4AB11BOSA1

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
6+
$289.06
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    FF600R12ME4AB11BOSA1
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    IGBT MODULE VCES 600V 600A
  • Status sem chumbo / Status RoHS
  • Fichas de dados
    FF600R12ME4AB11BOSA1.pdf
  • Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, Ic
    2.1V @ 15V, 600A
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    Module
  • Série
    -
  • Power - Max
    3350W
  • Caixa / Gabinete
    Module
  • Outros nomes
    FF600R12ME4A_B11
    FF600R12ME4A_B11-ND
    SP001121234
  • Temperatura de operação
    -40°C ~ 150°C
  • NTC Thermistor
    Yes
  • Tipo de montagem
    Chassis Mount
  • Capacitância de entrada (Cies) @ Vce
    37nF @ 25V
  • Entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    Trench Field Stop
  • Descrição detalhada
    IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200V 3350W Chassis Mount Module
  • Atual - Collector Cutoff (Max)
    3mA
  • Configuração
    2 Independent

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Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
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