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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IPB097N08N3 G

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Imagem IPB097N08N3 G.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB097N08N3 G

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IPB097N08N3 G
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IPB097N08N3 G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3.5V @ 46µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

D²PAK (TO-263AB)
Série

OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

9.7 mOhm @ 46A, 10V
Dissipação de energia (Max)

100W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes

IPB097N08N3 G-ND
IPB097N08N3 GTR-ND
IPB097N08N3G
IPB097N08N3GTR
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2410pF @ 40V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

6V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

80V
Descrição detalhada

N-Channel 80V 70A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

70A (Tc)

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