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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IPB120N06N G
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6725503Imagem IPB120N06N G.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB120N06N G

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Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    IPB120N06N G
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 60V 75A TO-263
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    IPB120N06N G.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 94µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    D²PAK (TO-263AB)
  • Série
    OptiMOS™
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    11.7 mOhm @ 75A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    158W (Tc)
  • Embalagem
    Cut Tape (CT)
  • Caixa / Gabinete
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Outros nomes
    IPB120N06NG
    IPB120N06NGINCT
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    2100pF @ 30V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    62nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    60V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 60V 75A (Tc) 158W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    75A (Tc)

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Pagamento
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IPB114N03L G

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Descrição: MOSFET N-CH 30V 30A TO263-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPB120N08S404ATMA1

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Descrição: MOSFET N-CH TO263-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPB120N06S402ATMA1

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Descrição: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPB120N04S3-02

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Descrição: MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPB120N10S405ATMA1

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Descrição: MOSFET N-CH TO263-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPB120N06S402ATMA2

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Descrição: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPB120N04S404ATMA1

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Descrição: MOSFET N-CH TO263-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
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IPB120N04S402ATMA1

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Descrição: MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPB120N06S4H1ATMA1

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Descrição: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPB11N03LA

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Descrição: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPB120N08S403ATMA1

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Descrição: MOSFET N-CH TO263-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPB117N20NFDATMA1

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Descrição: MOSFET N-CH 200V 84A D2PAK

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPB120N03S4L03ATMA1

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Descrição: MOSFET N-CH TO263-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPB120N06S403ATMA1

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Descrição: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPB120N06S4H1ATMA2

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Descrição: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

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IPB120N06S403ATMA2

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Descrição: MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2

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IPB11N03LA G

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Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
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