Para visitantes da Electronica 2024

Reserve seu tempo agora!

Só é preciso alguns cliques para reservar seu lugar e obter o bilhete do estande

Hall C5 Booth 220

Registro antecipado

Para visitantes da Electronica 2024
Você está se inscrevendo! Obrigado por marcar uma consulta!
Enviaremos os tickets de estande por e -mail assim que verificarmos sua reserva.
Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IPB180P04P4L02ATMA1
RFQs/Ordem (0)
Português
Português
4518940Imagem IPB180P04P4L02ATMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB180P04P4L02ATMA1

Inquérito On-line

Preencha todos os campos necessários com suas informações de contato.Click "Envie RFQ", entraremos em contato com você em breve por e -mail.Ou envie um email:info@ftcelectronics.com

Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
1000+
$1.593
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    IPB180P04P4L02ATMA1
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    IPB180P04P4L02ATMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 410µA
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    PG-TO263-7-3
  • Série
    OptiMOS™
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    2.4 mOhm @ 100A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    150W (Tc)
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
  • Outros nomes
    IPB180P04P4L02ATMA1TR
    SP000709460
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    18700pF @ 25V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    286nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    4.5V, 10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    40V
  • Descrição detalhada
    P-Channel 40V 180A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    180A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

24/10/2024

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

10/10/2024
Envio
Pagamento
O seguinte é "IPB180P04P4L02ATMA1" produtos relacionados.
IPB180N10S403ATMA1

IPB180N10S403ATMA1

Descrição: MOSFET N-CH TO263-7

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPB180N10S402ATMA1

IPB180N10S402ATMA1

Descrição: MOSFET N-CH TO263-7

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPB180N04S4H0ATMA1

IPB180N04S4H0ATMA1

Descrição: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPB180N04S4L01ATMA1

IPB180N04S4L01ATMA1

Descrição: MOSFET N-CH TO263-7

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPB180N04S4LH0ATMA1

IPB180N04S4LH0ATMA1

Descrição: MOSFET N-CH TO263-7

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPB22N03S4L15ATMA1

IPB22N03S4L15ATMA1

Descrição: MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPB240N04S4R9ATMA1

IPB240N04S4R9ATMA1

Descrição: MOSFET N-CH TO263-7

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPB240N03S4LR9ATMA1

IPB240N03S4LR9ATMA1

Descrição: MOSFET N-CH TO263-7

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPB200N25N3GATMA1

IPB200N25N3GATMA1

Descrição: MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPB25N06S3L-22

IPB25N06S3L-22

Descrição: MOSFET N-CH 55V 25A D2PAK

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPB25N06S3-25

IPB25N06S3-25

Descrição: MOSFET N-CH 55V 25A D2PAK

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPB180N08S402ATMA1

IPB180N08S402ATMA1

Descrição: MOSFET N-CH TO263-7

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPB180P04P403ATMA1

IPB180P04P403ATMA1

Descrição: MOSFET P-CH TO263-7

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPB180N04S401ATMA1

IPB180N04S401ATMA1

Descrição: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPB200N15N3GATMA1

IPB200N15N3GATMA1

Descrição: MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPB230N06L3GATMA1

IPB230N06L3GATMA1

Descrição: MOSFET N-CH 60V 30A TO263-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPB240N03S4LR8ATMA1

IPB240N03S4LR8ATMA1

Descrição: MOSFET N-CH TO263-7

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPB240N04S41R0ATMA1

IPB240N04S41R0ATMA1

Descrição: MOSFET N-CH TO263-7

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPB180N06S4H1ATMA2

IPB180N06S4H1ATMA2

Descrição: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPB180N06S4H1ATMA1

IPB180N06S4H1ATMA1

Descrição: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
Como o único distribuidor público de mercado aberto, possuímos uma combinação única de acesso global, experiência na indústria de manufatura e qualidade comprovada.Com isso, podemos criar soluções personalizadas de cadeia de suprimentos de ponta a ponta para o fornecimento de componentes eletrônicos e gerenciamento de inventário.
SEGUE-NOS
termos e CondiçõesPolítica de infraçãoSolicitar uma cotaçãoSobre nósContate-nosMapa do site

Selecione o idioma

Clique no espaço para sair

Linguagem atual

Escolha o seu país ou a sua região.