International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB64N25S320ATMA1

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Especificações

Modelo do Produto

IPB64N25S320ATMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IPB64N25S320ATMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 270µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

PG-TO263-3-2
Série

OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

20 mOhm @ 64A, 10V
Dissipação de energia (Max)

300W (Tc)
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes

IPB64N25S320ATMA1CT
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

7000pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

89nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

250V
Descrição detalhada

N-Channel 250V 64A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

64A (Tc)

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Remessa
Forma de pagamento

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IPB65R065C7ATMA2

Descrição: MOSFET N-CH TO263-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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